Компанията IBM съобщи за своите нови разработки в областта на относително нов формат памет, известна като памет с промяна на фазовото състояние (PCM). Значителното подобрение на качествата на паметта, постигнато от изследователите, позволява създаването на бърза и надеждна енергийно независима памет за различен спектър от приложения - от мобилни телефони до промишлени центрове за данни. През следващите 5 години PCM, според изявленията на инженерите, може да осъществи скок в технологиите за съхранение на данни.
Компанията обещава, че усъвършенстваната PCM памет ще може да предостави 100 пъти по-висока скорост на четене и писане в сравнение с широко използваните днес флаш памети. Това пък, от своя страна, ще позволи създаването на компютри и сървъри, които стартират мигновено и работят много по-бързо. За разлика от флаш, PCM паметите представляват много по-надежден начин за съхраняване на данни, като осигуряват не по-малко от 10 милиона цикъла за запис в една клетка (за сравнение, флаш паметите днес гарантират 30 000 цикъла за запис).
Технологията PCM е основана на специална сплав, която при нагряване може да приема различни физически състояния, или фази, чрез промяна на захранващото напрежение. Преди технологията страдаше от хронична нестабилност на едната фаза, което водеше до промяна на съпротивлението в клетките и поява на грешки по време на четене. Вторият проблем беше, че всяка клетка можеше да съхранява само един бит данни. Учените от IBM са успели не само да преодолеят непостоянството на фазовото състояние на сплавта (създаденият 90-нанометров прототип на чип, включващ 200 хиляди клетки, е успял да запази данни без електрически ток в продължение на 5 месеца), но също така и да запишат във всяка клетка по 4 бита данни. Освен това, по пътя на интерактивен подбор на импулсите на напрежението изследователите са успели да постигнат скорост на запис от 10 микросекунди, което превъзхожда стократно показателите на флаш паметите.
Развитието на проекта на IBM по изследване и разработка на PCM ще се извършва в открития неотдавна в Цюрих, Швейцария, център по нанотехнологии под ръководството на Герд Бининг и Хайнрих Рорер. Остава въпросът доколко е готова технологията за промишлено приложение и дали разходите за производство ще позволят PCM да бъде използвана като заместител на значително отстъпващата й по характеристики флаш памет.
